參數(shù)資料
型號： NAND512R4M2CZB5E
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 存儲器模塊
英文描述： 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
中文描述： 同一封裝內(nèi)整合了256/512Mb/1Gb（x8/x16，1.8/3V，528字節(jié)頁）NAND閃存以及256/512Mb（x16/x32，1.8V的）LPSDRAM的MCP
文件頁數(shù)： 19/23頁
文件大小： 181K
代理商： NAND512R4M2CZB5E
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
Package Mechanical
19/23
Figure 9.
LFBGA137 10.5x13mm - 10x13 active ball array, 0.8mm pitch- Bottom Outline
1.
Subject to change without prior notice.
LFBGA137 10.5x13mm - 10x13 active ball array, 0.8mm pitch- Mechanical Data
(1)
E
D
e
b
SD
A1
A2
A
BGA-Z83
ddd
FD
D1
E1
e
FE
BALL "B1"
Table 8.
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.40
0.055
A1
0.25
0.010
A2
1.00
0.039
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
10.50
10.40
10.60
0.413
0.409
0.417
D1
7.20
0.283
ddd
0.10
0.004
E
13.00
12.90
13.10
0.512
0.508
0.516
E1
11.20
0.441
e
0.80
–
–
0.031
–
–
FD
1.65
0.065
FE
0.90
0.035
SD
0.40
0.016
1.
Subject to change without prior notice.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3M5BZB5F 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
NAS-xxx SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR
NASxxx SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR
NAS1581 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
NAS1581-10 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel
NAND512W3A0AV6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND512W3A2BE06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:512 MBIT NAND FLASH MEMORY WAFER
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