- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361075 > NAND128R3A2BV1E (意法半導(dǎo)體) 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND128R3A2BV1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁(yè)面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 38/57頁(yè) |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | NAND128R3A2BV1E |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)當(dāng)前第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
38/57
Table 21. AC Characteristics for Operations
Alt.
Symbol
Note: 1. The time to Ready depends on the value of the pull-up resistor tied to the Ready/Busy pin. See Figures
34
,
35
and
36
.
2. To break the sequential read cycle, E must be held High for longer than t
EHEL
.
3. ES = Electronic Signature.
Symbol
Parameter
1.8V
Devices
3V
Devices
Unit
t
ALLRL1
t
AR
Address Latch Low to
Read Enable Low
Read Electronic Signature
Min
10
10
ns
t
ALLRL2
Read cycle
Min
10
10
ns
t
BHRL
t
RR
Ready/Busy High to Read Enable Low
Min
20
20
ns
t
BLBH1
Ready/Busy Low to
Ready/Busy High
Read Busy time, 128Mb, 256Mb,
512Mb Dual Die
Max
12
12
μs
Read Busy time, 512Mb, 1Gb
Max
15
12
μs
t
BLBH2
t
PROG
Program Busy time
Max
500
500
μs
t
BLBH3
t
BERS
Erase Busy time
Max
3
3
ms
t
BLBH4
Reset Busy time, during ready
Max
5
5
μs
t
WHBH1
t
RST
Write Enable High to
Ready/Busy High
Reset Busy time, during read
Max
5
5
μs
Reset Busy time, during program
Max
10
10
μs
Reset Busy time, during erase
Max
500
500
μs
t
CLLRL
t
CLR
Command Latch Low to Read Enable Low
Min
10
10
ns
t
DZRL
t
IR
Data Hi-Z to Read Enable Low
Min
0
0
ns
t
EHBH
t
CRY
Chip Enable High to Ready/Busy High (E intercepted read)
Max
60 + t
r(1)
60 + t
r(1)
ns
t
EHEL
t
CEH
Chip Enable High to Chip Enable Low
(2)
Min
100
100
ns
t
EHQZ
t
CHZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
Max
20
20
ns
t
ELQV
t
CEA
Chip Enable Low to Output Valid
Max
45
45
ns
t
RHBL
t
RB
Read Enable High to Ready/Busy Low
Max
100
100
ns
t
RHRL
t
REH
Read Enable High to
Read Enable Low
Read Enable High Hold time
Min
15
15
ns
t
RHQZ
t
RHZ
Read Enable High to Output Hi-Z
Min
15
15
ns
Max
30
30
t
RLRH
t
RP
Read Enable Low to
Read Enable High
Read Enable Pulse Width
Min
30
30
ns
t
RLRL
t
RC
Read Enable Low to
Read Enable Low
Read Cycle time
Min
60
50
ns
t
RLQV
t
REA
Read Enable Low to
Output Valid
Read Enable Access time
Max
35
35
ns
Read ES Access time
(3)
t
WHBH
t
R
Write Enable High to
Ready/Busy High
Read Busy time, 128Mb, 256Mb,
512Mb Dual Die
Max
12
12
μs
Read Busy time, 512Mb, 1Gb
Max
15
12
μs
t
WHBL
t
WB
Write Enable High to Ready/Busy Low
Max
100
100
ns
t
WHRL
t
WHR
Write Enable High to Read Enable Low
Min
80
60
ns
t
WLWL
t
WC
Write Enable Low to
Write Enable Low
Write Cycle time
Min
60
50
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128W4A0CV6T | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A0BN6E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A0CZB6T | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A2BZA1F | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A2BZA1T | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND128W3A0AN6 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND128W3A0AN6E | 功能描述:閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND128W3A0AN6F | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND128W3A0BN6E | 功能描述:閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND128W3A0BN6F | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。