參數資料
型號: NAND128R3A2BV1E
廠商: 意法半導體
英文描述: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述: 128兆,256兆,512兆位,1千兆位(x8/x16)528 Byte/264字的頁面,1.8V/3V,NAND閃存芯片
文件頁數: 21/57頁
文件大小: 410K
代理商: NAND128R3A2BV1E
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 12. Pointer Operations for Programming
ai07591
I/O
Inputs
Data Input
10h
80h
Areas A, B, C can be programmed depending on how much data is input. Subsequent 00h commands can be omitted.
AREA A
00h
Inputs
Data Input
10h
80h
00h
I/O
Inputs
Data Input
10h
80h
Areas B, C can be programmed depending on how much data is input. The 01h command must be re-issued before each program.
AREA B
01h
Inputs
Data Input
10h
80h
01h
I/O
Inputs
Data Input
10h
80h
Only Areas C can be programmed. Subsequent 50h commands can be omitted.
AREA C
50h
Inputs
Data Input
10h
80h
50h
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PDF描述
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參數描述
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NAND128W3A0AN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0BN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0BN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel