參數(shù)資料
型號: MUN5237DW1T1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: Dual Bias Resistor Transistors
中文描述: 雙偏置電阻晶體管
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 199K
代理商: MUN5237DW1T1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
MUN5211dw–7/8
MUN5211DW1T1 Series
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS – MUN5213DW1T1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 12. V
CE(sat)
versus I
C
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Output Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 13. DC Current Gain
V
I
C
,
V
C
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Output Current versus Input oltage
10
1
0.1
0.01
0
20
40
50
h
F
1000
100
10
1
10
100
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
30
40
50
C
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
100
10
1
0.1
0
10
20
30
40
50
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PDF描述
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參數(shù)描述
MUN5237DW1T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5237T1 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5237T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5238 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 =  k
MUN5238T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NPN DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NPN DIGITAL TRANSISTOR (B