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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5237DW1T1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors |
| 中文描述： | 雙偏置電阻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 199K |
| 代理商： | MUN5237DW1T1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
MUN5211dw–3/8
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
,) (Continued)
Characteristic
ON CHARACTERISTICS
(Note 5.)
DC Current Gain
MUN5211DW1T1
(V
CE
= 10 V, I
C
= 5.0 mA)
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5235DW1T1
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
MUN5211DW1T1 Series
h
FE
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
Output Voltage (on)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V, R
L
= 1.0 k
)
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
V
OL
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Vdc
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V, R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V, R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V, R
L
= 1.0 k
)
Output Voltage (off)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V, R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.05 V, R
L
= 1.0 k
)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V, R
L
= 1.0 k
)
MUN5230DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5233DW1T1
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 10mA,I
B
= 0.3 mA)
V
CE(sat)
(I
C
= 10mA, I
B
= 5mA) MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1
(I
C
= 10mA, I
B
= 1mA)
MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1
MUN5232DW1T1/MUN5233DW1T1/MUN5234DW1T1
–
–
0.25
Vdc
V
OH
4.9
–
Vdc
5. Pulse Test: Pulse Width < 300 ms, Duty Cycle < 2.0%
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUR120-B | 1.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| MUR120-T | 1.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| MUR120-A | 1.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| MUR140-A | 1.0A SUPER-FAST RECTIFIER |
| MUR140-B | 1.0A SUPER-FAST RECTIFIER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MUN5237DW1T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5237T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5237T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5238 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = k |
| MUN5238T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NPN DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NPN DIGITAL TRANSISTOR (B |
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