參數(shù)資料
型號(hào)： MT58L128L36D1
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 128K x 36，3.3V I/O Pipelined, DCD SyncBurst SRAM(4Mb，3.3V輸入/輸出，流水線式，雙循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器)
中文描述： 128K的x 36,3.3六/輸出流水線，雙氰胺SyncBurst的SRAM（4MB，在3.3V的輸入/輸出，流水線式，雙循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 22/24頁(yè)
文件大?。?/td> 425K
代理商： MT58L128L36D1
22
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 3.3V I/O Pipelined, DCD SyncBurst SRAM
MT58L256L18D1_2.p65 – Rev 8/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1999, Micron Technology, Inc.
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36
3.3V I/O PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM
PRELIMINARY
100-PIN PLASTIC TQFP (JEDEC LQFP)
14.00 ±0.10
20.10 ±0.10
0.62
22.10 -0.15
16.00 -0.05
PIN #1 ID
0.65
1.50 ±0.10
0.25
0.60 ±0.15
1.40 ±0.05
0.32 -0.10
0.15 -0.02
0.10 -0.05
DETAIL A
DETAIL A
1.00 (TYP)
GAGE PLANE
0.10
NOTE:
1. All dimensions in millimetersMAXor typical where noted.
MIN
2. Package width and length do not include mold protrusion; allowable mold protrusion is 0.25mm per side.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT58L128L32P1 128K x 32，Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT58L128L36P1 128K x 36，Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT58L128V32P1 128K x 32， Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT58L256L18P1 256K x 18,Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT58L256V18P1 256K x 18，Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MT58L128L36F1T-8.5 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:128KX36 SRAM PLASTIC TQFP 3.3V 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
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