參數資料
型號： MT4C4007J
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 1 Meg x 4 EDO DRAM(1M x 4擴展數據輸出動態(tài)RAM)
中文描述： 1梅格× 4 EDO公司的DRAM（3米× 4擴展數據輸出動態(tài)內存）
文件頁數： 6/16頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： MT4C4007J
1 Meg x 4 EDO DRAM
D23.pm5 – Rev. 3/97
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1997, Micron Technology, Inc.
6
1 MEG x 4
EDO DRAM
OBSOLETE
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Notes: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 20) (V
CC
= +5V
±
10%)
AC CHARACTERISTICS
PARAMETER
RAS# pulse width (EDO PAGE MODE)
Random READ or WRITE cycle time
RAS# to CAS# delay time
Read command hold time (referenced to CAS#)
Read command setup time
Refresh period (1,024 cycles)
Refresh period (1,024 cycles) L version
RAS# precharge time
RAS# to CAS# precharge time
Read command hold time (referenced to RAS#)
RAS# hold time
Write command to RAS# lead time
Transition time (rise or fall)
Write command hold time
Write command hold time (referenced to RAS#)
WE# command setup time
Output disable delay from WE# (CAS# HIGH)
Write command pulse width
WE# pulse width for output disable when CAS# HIGH
WE# hold time (CBR REFRESH)
WE# setup time (CBR REFRESH)
-6
SYM
t
RASP
t
RC
t
RCD
t
RCH
t
RCS
t
REF
t
REF
t
RP
t
RPC
t
RRH
t
RSH
t
RWL
t
T
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WHZ
t
WP
t
WPZ
t
WRH
t
WRP
MIN
60
110
20
0
0
MAX
100,000
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
14
16
16
128
40
5
0
15
15
1.5
10
45
0
3
10
10
10
10
16
50
8, 9
18
15
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PDF描述
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參數描述
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