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參數資料
| 型號： | MT48LC8M16A2TG-7E |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 同步DRAM |
| 文件頁數： | 42/59頁 |
| 文件大小： | 1822K |
| 代理商： | MT48LC8M16A2TG-7E |
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42
128Mb: x4, x8, x16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65
–
Rev. E; Pub. 1/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
128Mb: x4, x8, x16
SDRAM
READ – WITHOUT AUTO PRECHARGE
1
ALL BANKS
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
tRP
tRAS
tRC
tRCD
CAS Latency
tOH
D
OUT
m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
ROW
BANK
BANK(S)
BANK
ROW
ROW
BANK
tHZ
tOH
D
OUT
m
+3
tAC
tOH
tAC
tOH
tAC
D
OUT
m
+2
D
OUT
m
+1
tCMH
tCMS
PRECHARGE
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
DISABLE AUTO PRECHARGE
SINGLE BANKS
DON
’
T CARE
UNDEFINED
COLUMN
m
2
tCKH
tCKS
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DQM /
DQML, DQMH
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
COMMAND
TIMING PARAMETERS
-7E
-75
-8E
SYMBOL*
t
AC(3)
t
AC(2)
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK(3)
t
CK(2)
t
CKH
t
CKS
MIN
MAX
5.4
5.4
MIN
MAX
5.4
6
MIN
MAX
6
6
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0.8
1.5
2.5
2.5
7
7.5
0.8
1.5
0.8
1.5
2.5
2.5
7.5
10
0.8
1.5
1
2
3
3
8
10
1
2
t
CMH
t
CMS
t
HZ(3)
t
HZ(2)
t
LZ
t
OH
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RP
0.8
1.5
0.8
1.5
1
2
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5.4
5.4
5.4
6
6
6
1
3
37
60
15
15
1
3
44
66
20
20
1
3
50
70
20
20
120,000
120,000
120,000
*CAS latency indicated in parentheses.
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4, the CAS latency = 2, and the READ burst is followed by a
“
manual
”
PRECHARGE.
2. x16: A9 and A11 =
“
Don
’
t Care
”
x8: A11 =
“
Don
’
t Care
”
-7E
-75
-8E
SYMBOL*
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48LC8M16A2TG-7EIT | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC8M16A2TG-7EL | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC8M16A2TG-7ELIT | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC8M16A2TG-8E | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC8M16A2TG-8EIT | SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|
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