參數(shù)資料
型號： MRFE6P3300HR5
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-860C3, CASE 375G-04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 423K
代理商： MRFE6P3300HR5
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR5
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
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Application Notes
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
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Revision
Date
Description
0
May 2007
Initial Release of Data Sheet
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFE6P9220HR3 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S8046NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRFE6S8046GNR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270BB
MRFE6S9045NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRFE6S9046NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFE6P9220HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6P9220HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S8046GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S8046NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9045GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 45W TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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