參數(shù)資料
型號(hào)： MRFE6P3300HR5
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-860C3, CASE 375G-04, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 423K
代理商： MRFE6P3300HR5
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR5
DIGITAL TEST SIGNALS
12
0.0001
100
0
PEAK TO AVERAGE (dB)
Figure 14. Single-Carrier DVTB OFDM
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PROBABILITY
(%)
8K Mode DVTB OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
5
20
5
7.61 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. 8K Mode DVBT OFDM Spectrum
30
40
50
90
70
80
100
110
60
4
3
2
1
0
1
2
3
4
20 kHz BW
(dB)
20 kHz BW
10
ACPR Measured at 3.9 MHz Offset
from Center Frequency
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PDF描述
MRFE6P9220HR3 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRFE6P9220HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S8046GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S8046NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9045GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 45W TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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