參數(shù)資料
型號： MRF9200LR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 469K
代理商： MRF9200LR3
MRF9200LR3 MRF9200LSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
350
8
20
3
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
100
10
18
16
10
50
40
30
20
10
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Gps
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
14
12
VDD = 26 Vdc
IDQ = 1800 mA
f = 880 MHz
400
8
20
1
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 12. Power Gain, Efficiency and IMD
versus Output Power
100
10
18
16
10
20
0
20
40
Gps
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
14
12
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
40
IMD
VDD = 26 Vdc, IDQ = 1800 mA
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
Figure 13. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD = 28 V
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
250
14
19
0
200
50
16
15
100
150
17
18
26 V
IDQ = 1800 mA
f = 880 MHz
24 V
20 V
16 V
12 V
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PDF描述
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