參數(shù)資料
型號： MRF8S9220HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 11/14頁
文件大?。?/td> 347K
代理商： MRF8S9220HSR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S9220HR3 MRF8S9220HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. Single-Carrier W-CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
10
15
21
0
60
50
40
30
20
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
10
100
300
10
60
ACPR
(dBc)
20
19
0
20
Figure 6. Broadband Frequency Response
5
25
600
f, FREQUENCY (MHz)
VDD = 28 Vdc
Pin = 0 dBm
IDQ = 1600 mA
10
5
700
GAIN
(dB)
20
Gain
800
900
1000
1100
1300
IRL
25
5
0
5
10
15
IRL
(dB)
20
18
17
16
50
40
30
920 MHz
960 MHz
920 MHz
0
15
Gps
940 MHz
960 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1600 mA
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
960 MHz
940 MHz
920 MHz
1200
940 MHz
W-CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 7. CCDF W-CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PROBABILITY
(%)
WCDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5 MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
10
60
100
10
(dB)
20
30
40
50
70
80
90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
1.8
3.6
5.4
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
7.2
ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
10
0
13
5
7
9
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PDF描述
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MRF8S9260HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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