參數(shù)資料
型號(hào): MRF8S9202NR3
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, OM-780-2, CASE 2021-03, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 13/13頁(yè)
文件大小: 647K
代理商: MRF8S9202NR3
MRF8S9202NR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S9220HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF8S9220HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 66W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S9220HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 66W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S9220HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S9220HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S9232NR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 60W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray