參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S21140HR3
廠(chǎng)商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/14頁(yè)
文件大小： 214K
代理商： MRF8S21140HR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21140HR3 MRF8S21140HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. Single-Carrier W-CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-10
8
20
60
40
30
20
10
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
18
300
-60
ACPR
(dBc)
16
0
-20
-30
Figure 6. Broadband Frequency Response
0
21
1700
f, FREQUENCY (MHz)
VDD = 28 Vdc
Pin = 0 dBm
IDQ = 970 mA
10.5
GAIN
(dB)
17.5
1810
2250
2580
IRL
-21
0
-10.5
-14
-17.5
IRL
(dB)
14
12
50
-50
-40
3.5
14
-7
-3.5
10
1
7
10
1920
2030
2140
2360
2470
0
ηD
Gps
2110 MHz
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
2140 MHz
2170 MHz
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 970 mA, Single-Carrier W-CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
100
Gain
W-CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK-T O-A VERAGE (dB)
Figure 7. CCDF W-CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PROBABILITY
(%)
W-CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5 MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
10
-60
-100
10
(dB)
-20
-30
-40
-50
-70
-80
-90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
-1.8
-3.6
-5.4
-9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
-7.2
-ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
-10
0
13
57
9
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PDF描述
MRF8S21172HR5 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21172HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF8S21140HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21140HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21172HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21172HR3_12 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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