參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S21100HR5
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/15頁(yè)
文件大小： 442K
代理商： MRF8S21100HR5
MRF8S21100HR3 MRF8S21100HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TA =25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performance (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD =28 Vdc, IDQ = 700 mA, 2110--2170 MHz Bandwidth
Pout @ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
100
—
W
IMD Symmetry @ 36 W PEP, Pout where IMD Third Order
Intermodulation 30 dBc
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
—
40
—
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
—
50
—
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout =24 W Avg.
GF
—
0.4
—
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+80°C)
G
—
0.011
—
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+80°C) (1)
P1dB
—
0.005
—
dB/°C
1. Exceeds recommended operating conditions. See CW operation data in Maximum Ratings table.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S21100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21100HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21120HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21140HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21140HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF8S21100HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21100HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21120HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21120HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21120HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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