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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8S21100HR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 15/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 442K |
| 代理商： | MRF8S21100HR3 |
MRF8S21100HR3 MRF8S21100HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
33
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =28 Vdc, IDQ = 700 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
52
50
48
34
53
51
45
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
49
54
56
32
30
38
29
28
55
47
46
27
Ideal
Actual
31
35
36
37
2170 MHz
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
2110 MHz
2140 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2110
141
51.5
166
52.2
2140
141
51.5
162
52.1
2170
138
51.4
158
52.0
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
2110
P1dB
3.50 -- j7.47
1.65 -- j3.64
2140
P1dB
4.21 -- j7.53
1.57 -- j3.70
2170
P1dB
6.39 -- j8.09
1.66 -- j3.68
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S21100HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21120HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21140HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21140HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21172HR5 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8S21100HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21100HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21100HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21120HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21120HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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