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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8S21100HR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 442K |
| 代理商： | MRF8S21100HR3 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21100HR3 MRF8S21100HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
--10
--20
10
22
0
60
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
20
18
10
100
200
10
--60
AC
PR
(d
Bc)
16
14
12
0
--30
--40
--50
Figure 6. Broadband Frequency Response
0
24
1800
f, FREQUENCY (MHz)
16
12
8
1900
GAIN
(d
B)
20
Gain
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
IRL
--20
10
5
0
--5
--10
IRL
(dB)
4--15
2170 MHz
2140 MHz
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
VDD =28 Vdc,IDQ = 700 mA, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
ηD
VDD =28 Vdc
Pin =0 dBm
IDQ = 700 mA
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PDF描述 |
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