參數(shù)資料
型號： MRF8S18120HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 12/14頁
文件大?。?/td> 409K
代理商： MRF8S18120HR3
MRF8S18120HR3 MRF8S18120HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
GSM TEST SIGNAL
Figure 11. EDGE Spectrum
--10
--20
--30
--40
--50
--60
--70
--80
--90
--100
200 kHz
Span 2 MHz
Center 1.96 GHz
--110
400 kHz
600 kHz
400 kHz
600 kHz
(dB
)
Reference Power
VWB = 30 kHz
Sweep Time = 70 ms
RBW = 30 kHz
VDD =28 Vdc,IDQ = 800 mA, Pout =72 W CW
f
MHz
Zsource
Zload
1760
1.53 -- j1.94
2.32 -- j0.41
1780
1.53 -- j1.82
2.31 -- j0.51
1800
1.56 -- j1.90
2.31 -- j0.49
1820
1.56 -- j1.86
2.32 -- j0.40
1840
1.57 -- j1.75
2.33 -- j0.26
1860
1.51 -- j1.64
2.29 -- j0.12
1880
1.49 -- j1.58
2.29 -- j0.01
1900
1.49 -- j1.55
2.29 + j0.05
1920
1.48 -- j1.53
2.31 + j0.06
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S18260HSR6 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S18260HR6 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S19140HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S19260HSR6 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21100HR5 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF8S18120HR3_10 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF8S18120HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S18120HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S18120HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S18210WGHSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 210W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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