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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8P9040NR1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB-4, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 822K |
| 代理商： | MRF8P9040NR1 |
MRF8P9040NR1 MRF8P9040GNR1 MRF8P9040NBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 728--768 MHz
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
710
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 4.0 Watts Avg.
--13
--9
--10
--11
--12
18
22
21.6
21.2
--50
22
20
18
16
--49
--49.2
--49.4
--49.6
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 20.8
20.4
20
19.6
19.2
18.8
18.4
720
730
740
750
760
770
780
790
14
--49.8
--14
PARC
PA
RC
(d
B)
--0.3
0.1
0
--0.1
--0.2
--0.4
AC
PR
(d
Bc)
VDD =28 Vdc,Pout =4.0 W(Avg.), IDQ = 320 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
1
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 15. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
--10
--20
16
22
0
60
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
21
20
10
100
10
--60
AC
PR
(d
Bc)
19
18
17
0
--30
--40
--50
768 MHz
ηD
Gps
Figure 16. Broadband Frequency Response
0
24
550
f, FREQUENCY (MHz)
VDD =28 Vdc
Pin =0 dBm
IDQ = 320 mA
16
12
8
600
GAIN
(d
B)
20
Gain
650
700
750
800
850
900
950
IRL
--18
0
--3
--6
--9
--12
IRL
(dB)
4--15
748 MHz
728 MHz
768 MHz
748 MHz
728 MHz
VDD =28 Vdc,IDQ = 320 mA, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Input
Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability
on CCDF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8P9040NBR1 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| MRF8P9040GNR1 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF8S18120HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S18120HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S18260HSR6 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8P9210NR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHz 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P9300HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8-900 100W 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P9300HR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8-900 100W 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P9300HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8P9300HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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