- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359667 > MRF5S21045NBR1 (飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司) RF Power Field Effect Transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF5S21045NBR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 510K |
| 代理商： | MRF5S21045NBR1 |
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPXV7002 | Integrated Silicon Pressure Sensor On-Chip Signal Conditioned, Temperature Compensated and Calibrated |
| MPXV7002DP | Integrated Silicon Pressure Sensor On-Chip Signal Conditioned, Temperature Compensated and Calibrated |
| MPXV7002GC6T1 | Integrated Silicon Pressure Sensor On-Chip Signal Conditioned, Temperature Compensated and Calibrated |
| MPXV7002GC6U | Integrated Silicon Pressure Sensor On-Chip Signal Conditioned, Temperature Compensated and Calibrated |
| MC9S12DP256CCFU | device made up of standard HCS12 blocks and the HCS12 processor core |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF5S21045NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2170MHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S21045NR1_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21090HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 RF PWR LDMOS NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S21090HR3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S21090HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。