參數(shù)資料
型號： MR1A16AYS35
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
中文描述： 64K的x 16位的3.3V異步磁阻隨機存取內(nèi)存
文件頁數(shù)： 6/20頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： MR1A16AYS35
MR0A16A Advanced Information Data Sheet, Rev. 0
6
Freescale Semiconductor
Electrical Specifications
Figure 3. Output Load for ac Test
Table 8. ac Measurement Conditions
Parameter
Value
1.5 V
1.5 V
0 or 3.0 V
2 ns
See Figure 3A
See Figure 3B
Logic input timing measurement reference level
Logic output timing measurement reference level
Logic input pulse levels
Input rise/fall time
Output load for low and high impedance parameters
Output load for all other timing parameters
A
B
OUTPUT
R
L
= 50
Ω
V
L
= 1.5 V
Z
D
= 50
Ω
OUTPUT
600
Ω
725
Ω
5 pF
+3.3 V
相關PDF資料
PDF描述
MR1S08AYS35 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR1S16AYS35 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR2A08AYS35 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MC68HC908JB12DW This section updates data sheet information and introduces the 20-pin SOIC
MC68HC908JB12JDW This section updates data sheet information and introduces the 20-pin SOIC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MR1FB30L0 制造商:SEI Stackpole Electronics Inc 功能描述:RES 1W 0.03 OHMS 1% - Bulk
MR1FB50L0 制造商:SEI Stackpole Electronics Inc 功能描述:RES 1W 0.05 OHMS 1% - Bulk
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