參數(shù)資料
型號: MR1A16AYS35
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
中文描述: 64K的x 16位的3.3V異步磁阻隨機存取內(nèi)存
文件頁數(shù): 18/20頁
文件大小: 148K
代理商: MR1A16AYS35
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MR1S08AYS35 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR1S16AYS35 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR2A08AYS35 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MC68HC908JB12DW This section updates data sheet information and introduces the 20-pin SOIC
MC68HC908JB12JDW This section updates data sheet information and introduces the 20-pin SOIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MR1D100R00TST 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
MR1FB10L0 制造商:SEI Stackpole Electronics Inc 功能描述:RES 10M OHM 1% 1W 50PPM/ C TO 400PPM/ C AXL TH - Bulk 制造商:SEI Stackpole Electronics Inc 功能描述:Res Metal Film 0.01 Ohm 1% 1W ±50ppm/°C to ±400ppm/°C Molded AXL Thru-Hole Bulk
MR1FB20L0 制造商:SEI Stackpole Electronics Inc 功能描述:RES 1W 0.02 OHMS 1% - Bulk
MR1FB30L0 制造商:SEI Stackpole Electronics Inc 功能描述:RES 1W 0.03 OHMS 1% - Bulk
MR1FB50L0 制造商:SEI Stackpole Electronics Inc 功能描述:RES 1W 0.05 OHMS 1% - Bulk