型號(hào): | MMDFS3P303R2 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
中文描述: | 3500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封裝: | CASE 751-07, SOP-8 |
文件頁數(shù): | 5/12頁 |
文件大小: | 166K |
代理商: | MMDFS3P303R2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMDFS3P303 | Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
MMDL101T1 | Schottky Barrier Diode |
MMDL770T1 | Schottky Barrier Diode |
MMDL770T1 | Schottky Barrier Diode |
MMDT2222A-7-F | DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMDFS6N303R2 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
MMDJ3N03BJT | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Power Transistors SO−8 for Surface Mount Applications |
MMDJ3P03BJT | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR PNP SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES |
MMDJ-65608EV-30 | 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
MMDJ-65608EV-30-E | 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |