參數(shù)資料
型號： MMDFS3P303-D
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
中文描述： 功率MOSFET 3安培，30伏特
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 162K
代理商： MMDFS3P303-D
MMDFS3P303
http://onsemi.com
8
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 22. Schottky Thermal Response
t, TIME (s)
R
T
1.0
0.1
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.02
1.0E+02
1.0E+03
0.001
0.01
NORMALIZED TO RJA AT STEADY STATE (1
″
PAD)
CHIP
JUNCTION
0.1010
39.422 F
1.2674
493.26 F
27.987
0.0131 F
30.936
0.2292 F
36.930
2.267 F
AMBIENT
0.05
0.01
TYPICAL APPLICATIONS
LOAD
Vout
CO
+
-
Vin
+
-
LOAD
Vout
CO
+
-
Vin
+
-
LO
LO
STEP DOWN SWITCHING REGULATORS
Buck Regulator
Synchronous Buck Regulator
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMDFS3P303R2 Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
MMDFS3P303 Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
MMDL101T1 Schottky Barrier Diode
MMDL770T1 Schottky Barrier Diode
MMDL770T1 Schottky Barrier Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMDFS3P303R2 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MMDFS6N303R2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MMDJ3N03BJT 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Power Transistors SO−8 for Surface Mount Applications
MMDJ3P03BJT 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR PNP SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES
MMDJ-65608EV-30 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM
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