參數(shù)資料
型號(hào)： MMDFS3P303-D
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
中文描述： 功率MOSFET 3安培，30伏特
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 162K
代理商： MMDFS3P303-D
MMDFS3P303
http://onsemi.com
4
TYPICAL FET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. On–Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–To–Source Voltage
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
0
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
6.0
5.0
2.0
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
1.5
3.0
2.0
1.0
0
8.0
10
2.0
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0.7
0.2
0.1
0
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
1.5
1.0
0.18
0.08
0.06
0.04
2.0
-25
25
-50
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
1.2
0.4
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
30
0
1000
1.0
15
0
ID
I
D
R
1.0
0
0.5
0.25
0.75
1.0
1.25
1.5
2.0
3.5
4.5
6.0
4.0
6.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.5
,
RD
50
100
75
0.8
10
10
ID
1.75
,
,
D
R
,
D
125
150
1.4
1.8
VGS = 10 V
ID = 1.5 A
VGS = 0 V
TJ = 125
°
C
100
°
C
TJ = 25
°
C
VGS = 4.5 V
10 V
TJ = 25
°
C
ID = 3.5 A
VDS
≥
10 V
TJ = -55
°
C
100
°
C
25
°
C
TJ = 25
°
C
3.3 V
VGS = 2.7 V
4.5 V
5.0 V
2.0
4.0
3.0
3.5 V
100
20
25
4.0
5.0
3.0 V
3.7 V
4.0 V
6.0 V
0.3
0.4
0.5
0.6
2.5
3.0
4.0
5.0
0.14
0.12
0.10
0.16
0.6
1.0
1.6
10 V
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PDF描述
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MMDFS6N303R2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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