型號: | MMBT4403K |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
中文描述: | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | SOT-23, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 166K |
代理商: | MMBT4403K |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBTH10RG | NPN RF Transistor |
MMBTH34 | MMBTH34 Surface Mount NPN RF-IF Amp |
MMBZ5230B | 4.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
MMBZ5259BTS-7-F | 39 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMC9-65608EV-45 | 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBT4403LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT4403LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT4403LT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MMBT4403LT1S | 制造商:Motorola 功能描述:4403 MOT'93 T/R 制造商:Motorola Inc 功能描述:Transistor |
MMBT4403LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |