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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBD717S |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 20 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 457K |
| 代理商： | MMBD717S |
PAGE . 2
STAD-SEP.06.2004
0
5
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
10
15
20
V
Reverse Voltage (V)
R,
V , Forward Voltage (V)
F
100
10
1.0
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
5
15
10
20
0.1
0.01
1
10
Reverse
Leakage,
I
(
A)
R
m
Forward
Current,
I
(mA)
F
Fig. 1. Typical Forward Voltage
Fig. 3. Typical Total Capacitance
V , Reverse Voltage (V)
R
C
,
T
o
tal
Capacitance
(pF)
T
T =125 C
A
o
T =125 C
A
o
T=75 C
A
o
T=75 C
A
o
T =-25 C
A
o
T=25 C
A
o
T=25 C
A
o
Fig. 2. Typical Reverse Leakage
R
E
T
E
M
A
R
A
Pl
o
b
m
y
Sn
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V
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B
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v
e
RV(BR)
IR
0
1
=uA
0
2-
--
-V
t
n
e
r
u
C
e
g
a
k
a
e
L
e
s
r
e
v
e
RI R
VR
0
1
=V
-
--
-0
.
1A
u
e
g
a
t
l
o
V
d
r
a
w
r
o
FVF
IF
0
.
1
=mA
-
--
-7
3
.
0V
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
n
o
i
t
c
n
u
J
m
u
m
i
x
a
MCJ
VR
,
V
1
=f
H
M
0
.
1
=
Z
-
--
-5
.
2F
p
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (each diode) (T
J = 25°C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD914/E9 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBT2369 | NPN Switching Transistor |
| MMBT4403K | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| MMBTH10RG | NPN RF Transistor |
| MMBTH34 | MMBTH34 Surface Mount NPN RF-IF Amp |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBD717S-T1 | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| MMBD717SW | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMMON ANODE SCHOTTKY BARRIER DIODES |
| MMBD717SW-T1 | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| MMBD717-T1 | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| MMBD717W | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMMON ANODE SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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