參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18002BA
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 63/65頁
文件大小： 409K
代理商： MJE18002BA
MJE18002 MJF18002
3–710
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.01
0.10
1.00
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
0.01
0.10
1.00
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
10000.00
100000.00
t, TIME (ms)
r(
t)
T
RANSIEN
T
TH
ERMAL
RESIS
TAN
C
E
(NORMALIZE
D)
t, TIME (ms)
r(
t)
T
RANSIEN
T
TH
ERMAL
RESIS
TAN
C
E
(NORMALIZE
D)
SINGLE PULSE
0.02
0.2
0.5
0.1
SINGLE PULSE
0.02
0.05
0.2
0.5
R
θJC(t) = r(t) RθJC
R
θJC = °C/W MAX
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC(t)
DUTY CYCLE, D = t1/t2
t1
t2
P(pk)
R
θJC(t) = r(t) RθJC
R
θJC = °C/W MAX
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC(t)
DUTY CYCLE, D = t1/t2
t1
t2
P(pk)
TYPICAL THERMAL RESPONSE
Figure 20. Typical Thermal Response (Z
θJC(t)) for MJE18002
Figure 21. Typical Thermal Response (Z
θJC(t)) for MJF18002
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18002BG 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18002AF 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18002AK 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18002BC 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18004BD 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJE18002G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 450V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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