參數(shù)資料
型號： MJB45H11T4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Power Transistors
中文描述： 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 75K
代理商： MJB45H11T4
MJB44H11 (NPN), MJB45H11 (PNP)
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Sustaining Voltage
(I
C
= 30 mA, I
B
= 0)
V
CEO(sus)
80
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CEO
, V
BE
= 0)
I
CES
10
μ
A
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 5 Vdc)
I
EBO
50
μ
A
ON CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 8 Adc, I
B
= 0.4 Adc)
V
CE(sat)
1.0
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 8 Adc, I
B
= 0.8 Adc)
V
BE(sat)
1.5
Vdc
DC Current Gain
(V
CE
= 1 Vdc, I
C
= 2 Adc)
h
FE
60
DC Current Gain
(V
CE
= 1 Vdc, I
C
= 4 Adc)
40
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, f
test
= 1 MHz)
MJB44H11
MJB45H11
C
cb
130
230
pF
Gain Bandwidth Product
(I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 20 MHz)
MJB44H11
MJB45H11
f
T
50
40
MHz
SWITCHING TIMES
Delay and Rise Times
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= 0.5 Adc)
MJB44H11
MJB45H11
t
d
+ t
r
300
135
ns
Storage Time
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= I
B2
= 0.5 Adc)
MJB44H11
MJB45H11
t
s
500
500
ns
Fall Time
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= I
B2
= 0.5 Adc)
MJB44H11
MJB45H11
t
f
140
100
ns
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PDF描述
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參數(shù)描述
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