參數(shù)資料
型號： MFC2000
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Multifunctional Peripheral Controller 2000
中文描述： 2000年多功能外設控制器
文件頁數(shù)： 85/426頁
文件大?。?/td> 2133K
代理商： MFC2000
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Hardware Description
MFC 2000 Multifunctional Peripheral Controller 2000
100723A
Conexant
4-55
If a burst of data is sent to the DRAM, the DRAM Controller will run in page mode once the initial access is
completed. The maximum burst length is limited to 8 halfwords (i.e., the maximum burst length coincides with the
CACHE line length) and is controlled by a burst signal that is generated from the SIU. If a burst of data is being
sent to the DRAM, but an octal address boundary occurs, the burst signal will turn off causing a RASn precharge.
It is impossible to go across a page boundary without precharging the RASn signal.
Note:
If a 16-bit wide memory structure is implemented, bursts of data must be 16-bit halfword
bursts. 8-bit byte bursts are only allowed for an 8-bit wide memory structure.
Table 4-11. DRAM Wait State Configurations
Non-Interleaved Modes (8 or 16 bit interfaces)
1 Cycle CASn
30 MHz
-50, -60
3 wait state, PG = 1 wait state
2 Cycle CASn
30 MHz
-50, -60, -70, -80
3 wait state, PG = 2 wait state (read)
2 wait state, PG = 1 wait state (write)
37.5 MHz and 40 MHz
-50, -60
5 wait state, PG = 2 wait state (read)
4 wait state, PG = 1 wait state (write)
37.5 MHz
-70
5 wait state, PG = 2 wait state (read)
4 wait state, PG = 1 wait state (write)
Interleaved Mode (16-bit interface)
30 MHz
-50, -60, -70, -80
3 wait state, PG = 0,1,0 wait state (read)-Even starting
address, non octal boundary
4 wait state, PG=1,0,1 wait state (read)- Odd starting
address, non octal boundary
2 wait state, PG = 1 wait state (write)
37.5 MHz and 40 MHz
-50, -60
5 wait state, PG = 0,1,0 wait state (read)
4 wait state, PG = 1 wait state (write)
37.5 MHz
-70
5 wait state, PG = 0,1,0 wait state (read)
4 wait state, PG = 1 wait state (write)
Note
: PG = page mode
4.5.1.1
Memory Bank Structure
DRAM address space can be selected in 2 separate memory blocks (Bank 0: RASn[0] and CASOn[0] (8-bit) or
CASOn[1:0] (16-bit) or CASOn[1:0] and CASEn[1:0] (interleaved), Bank 1: RASn[1] and CASOn[0] (8-bit) or
CASOn[1:0] (16-bit) or CASOn[1:0] and CASEn[1:0] (interleaved). Separate control bits are provided in the
Backup Configuration register to enable and disable (default) each of the memory banks. Each bank has separate
configuration controls and the address ranges of the two memory banks is continuous around the midpoint of the
DRAM memory bank. The RASn[1] starting address is 03000000h and grows larger based on the size of the
memory. The end of the RASn[0] bank ends at 03000000h and grows smaller from that point. The memory range
is programmed through the address multiplexer selections for bank 0 and bank 1 in the DRAMCtrl register.
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