參數(shù)資料
型號： M58LT128GST1ZA5E
廠商： 意法半導體
英文描述： 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
中文描述： 128Mbit（8兆x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)）1.8V電源安全閃存
文件頁數(shù)： 62/98頁
文件大?。?/td> 693K
代理商： M58LT128GST1ZA5E
11 DC and AC parameters
M58LT128GST, M58LT128GSB
62/98
Table 24.
Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
Symbol
Alt
Parameter
(1)
1.
Sampled only, not 100% tested.
M58LT128GST,
M58LT128GSB
Unit
110
W
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
110
ns
t
AVLH
Address Valid to Latch Enable High
Min
11
ns
t
AVWH(2)
2.
These timings are meaningful only if Latch Enable, L, is always kept Low, V
IL
.
t
has the values shown when reading in the targeted bank. System designers should take this into account and may
insert a software No-Op instruction to delay the first read in the same bank after issuing a command. If it is a Read Array
operation in a different bank t
WHEL
is 0ns.
Address Valid to Write Enable High
Min
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Valid to Write Enable High
Min
50
ns
t
ELLH
Chip Enable Low to Latch Enable High
Min
11
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
ns
t
ELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
110
ns
t
ELKV
Chip Enable Low to Clock Valid
Min
9
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
17
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
9
ns
t
LLLH
Latch Enable Pulse Width
Min
11
ns
t
WHAV(2)
Write Enable High to Address Valid
Min
0
ns
t
WHAX(2)
Write Enable High to Address Transition
Min
0
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
t
WHEL(3)
3.
Write Enable High to Chip Enable Low
Min
25
ns
t
WHLL
Write Enable High to Latch Enable Low
Min
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
25
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
50
ns
P
t
QVVPL
Output (Status Register) Valid to V
PP
Low
Min
0
ns
t
VPHWH
t
VPS
V
PP
High to Write Enable High
Min
200
ns
t
WHVPL
Write Enable High to V
PP
Low
Min
200
ns
相關PDF資料
PDF描述
M58LT128GST1ZA5F 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
M58LT128GST 128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
M58LV064A150ZA1T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58LV064A150N1T 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58LT128GST1ZA5F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories
M58LT128HSB 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (8 Mb 】16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories
M58LT128HSB8ZA6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 128Mbit 8M x 16bit 85ns 64-Pin TBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:STD FLASH - Trays
M58LT128HSB8ZA6E 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64TBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
M58LT128HSB8ZA6F 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64TBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
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