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參數(shù)資料
| 型號： | M30280MAV-XXXHP |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, MROM, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 238/416頁 |
| 文件大小： | 3065K |
| 代理商： | M30280MAV-XXXHP |
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19. Flash Memory Version
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19. Flash Memory Version
19.1 Flash Memory Performance
In the flash memory version, rewrite operation to the flash memory can be performed in three modes: CPU
rewrite mode, standard serial I/O mode, and parallel I/O mode.
Table 19.1
lists specifications of the flash memory version. (Refer to Table 1.1 or Table 1.2 for the items
not listed in Table 19.1.
Table 19.1 Flash Memory Version Specifications
Item
Flash memory operating mode
Erase block
Program method
Erase method
Program, erase control method
Protect method
Number of commands
Program/Erase
Endurance(1)
ROM code protection
Specification
3 modes (CPU rewrite, standard serial I/O, parallel I/O)
See Figure 19.1 and 19.2 Flash Memory Block Diagram
In units of word
Block erase
Program and erase controlled by software command
Blocks 0 to 4 are write protected by bit FMR16.
In addition, the block 0 and block 1 are write protected by bit FMR02.
5 commands
100 times
1,000 times (See Table 1.5 to 1.8)
100 times 10,000 times (See Table 1.5 to 1.8)
Parallel I/O and standard serial I/O modes are supported.
Data Retention
20 years (Topr = 55C)
Block 0 to 4 (program area)
Block A and B (data are) (2)
NOTES:
1. Program and erase endurance definitionProgram and erase endurance are the erase endurance of each block.
If the program and erase endurance are n times (n=100,1000,10000), each block can be erased n times. For
example, if a 2-Kbyte block A is erased after writing 1 word data 1024 times, each to different addresses, this is
counted as one program and erasure. However, data cannot be written to the same address more than once
without erasing the block. (Rewrite disabled)
2. To use the limited number of erasure efficiently, write to unused address within the block instead of rewrite.
Erase block only after all possible address are used. For example, an 8-word program can be written 128 times
before erase is necessary. Maintaining an equal number of erasure between Block A and B will also improve
efficiency. We recommend keeping track of the number of times erasure is used.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30281FATHP | 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| M30281M8V-XXXHP | 16-BIT, MROM, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| M30281M8V-XXXHP | 16-BIT, MROM, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| M30280FATHP | 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| M30281MAV-XXXHP | 16-BIT, MROM, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30280MA-XXXHP | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:16-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER M16C FAMILY / M16C/Tiny SERIES |
| M30280MC-XXXHP | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:16-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER M16C FAMILY / M16C/Tiny SERIES |
| M30281F6HP | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC,microcontroller,M16C/Tiny,1 |
| M30281F6HP D3 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| M30281F6HP D5 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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