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參數(shù)資料
| 型號： | M2V64S2DTP-8 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 64M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 6400同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 18/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 430K |
| 代理商： | M2V64S2DTP-8 |
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Feb.'00
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.3.2)
64M Synchronous DRAM
M2V64S20DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
M2V64S30DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
M2V64S40DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
(4-BANK x 4,194,304-WORD x 4-BIT)
(4-BANK x 2,097,152-WORD x 8-BIT)
(4-BANK x 1,048,576-WORD x 16-BIT)
18
CLK
Command
A0-9,11
A10
BA0-1
DQ
ACT
ACT
Xa
Xa
Xa
00
00
tRCD
tRP
Xa
Read with Auto-Precharge (CL=2, BL=4)
READ
Ya
1
00
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
internal precharge starts
BL
CLK
Command
DQ
ACT
ACT
tRCD
Auto-Precharge Timing (READ, BL=4)
READ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
internal precharge starts
BL
DQ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
CL=2
CL=3
CLK
Command
A0-9,11
A10
BA0-1
DQ
ACT
READ
ACT
PRE
ACT
Xa
Xb
Yb
Xa
0
Xa
Xb
0
00
01
01
00
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
tRCD
tRCD
tRP
Xa
Multi Bank Interleaving Read (CL=2, BL=4)
READ
Ya
0
00
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
00
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V64S3DTP-6 | 64M Synchronous DRAM |
| M2V64S3DTP-8 | 64M Synchronous DRAM |
| M2V64S4DTP-6 | 64M Synchronous DRAM |
| M2V64S4DTP-7 | 64M Synchronous DRAM |
| M2V64S4DTP-8 | 64M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V64S30BTP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S30BTP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S30BTP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S30BTP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S30BTP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
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