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參數(shù)資料
| 型號： | M28W320ECT90ZB6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（處理器x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 6/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 299K |
| 代理商： | M28W320ECT90ZB6F |
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M28W320EBT, M28W320EBB
14/45
Table 4. Commands
Note: 1. X = Don’t Care, RA=Read Address, RD=Read Data, SRD=Status Register Data, ID=Identifier (Manufacture and Device Code),
QA=Query Address, QD=Query Data, BA=Block Address, PA=Program Address, PD=Program Data, PRA=Protection Register Ad-
dress, PRD=Protection Register Data.
2. A0=VIL outputs Manufacturer code, A0=VIH outputs Device code. Address A7-A1 must be VIL.
3. Program Addresses 1 and 2 must be consecutive Addresses differing only for A0.
4. Program Addresses 1,2,3 and 4 must be consecutive Addresses differing only for A0 and A1.
5. 55h is reserved.
6. To be characterized.
Table 5. Read Electronic Signature
Note:
RP = VIH.
Commands
No. of
Cycles
Bus Write Operations
1st Cycle
2nd Cycle
3nd Cycle
Bus
Op.
Addr
Data
Bus
Op.
Addr
Data
Bus
Op.
Addr
Data
Read Memory Array
Write
X
FFh
Read
RA
RD
Read Status
Register
Write
X
70h
Read
X
SRD
Read Electronic
Signature
Write
X
90h
Read
SA(2)
IDh
Read CFI Query
Write
X
98h
Read
QA
QD
Erase
Write
X
20h
Write
BA
D0h
Program
Write
X
40h or
10h
Write
PA
PD
Double Word
Program(3)
Write
X
30h
Write
PA1
PD1
Write
PA2
PD2
Quadruple Word
Program(4)
Write
X
56h(6)
Write
PA1
PD1
Write
PA2
PD2
Write
PA3
PD3
Write
Clear Status
Register
Write
X
50h
Program/Erase
Suspend
Write
X
B0h
Program/Erase
Resume
Write
X
D0h
Code
Device
E
G
W
A0
A1-A7
A8-A20
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
Manufacture.
Code
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
20h
00h
Device Code
M28W320EBT
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
BCh
88h
M28W320EBB
VIL
VIH
VIL
Don’t Care
BDh
88h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W320ECT90ZB6T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M27C512-70C | 512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM |
| M59MR032C100GC6T | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D100GC6T | CAP 0.2PF 50V +/-0.1PF THIN-FILM SN96/AG4/NI 30PPM TR-7-PA |
| M59MR032C120GC6T | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W320FCB70N6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320FCB70N6F | 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320FCB70ZB6E | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 47TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| M28W320FCB70ZB6F | 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320FCT70N6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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