參數資料
型號: M28W320ECT90ZB6F
廠商: 意法半導體
英文描述: 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述: 32兆位(處理器x16插槽,引導塊)3V電源快閃記憶體
文件頁數: 13/45頁
文件大?。?/td> 299K
代理商: M28W320ECT90ZB6F
M28W320EBT, M28W320EBB
20/45
Table 12. DC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
0V
≤ VIN ≤ VDDQ
±1
A
ILO
Output Leakage Current
0V
VOUT ≤VDDQ
±10
A
IDD
Supply Current (Read)
E = VSS, G = VIH, f = 5MHz
918
mA
IDD1
Supply Current (Stand-by or
Automatic Stand-by)
E = VDDQ ± 0.2V,
RP = VDDQ ± 0.2V
15
50
A
IDD2
Supply Current
(Reset)
RP = VSS ± 0.2V
15
50
A
IDD3
Supply Current (Program)
Program in progress
VPP = 12V ± 5%
510
mA
Program in progress
VPP = VDD
10
20
mA
IDD4
Supply Current (Erase)
Erase in progress
VPP = 12V ± 5%
520
mA
Erase in progress
VPP = VDD
10
20
mA
IDD5
Supply Current
(Program/Erase Suspend)
E = VDDQ ± 0.2V,
Erase suspended
15
50
A
IPP
Program Current
(Read or Stand-by)
VPP > VDD
400
A
IPP1
Program Current
(Read or Stand-by)
VPP ≤ VDD
15
A
IPP2
Program Current (Reset)
RP = VSS ± 0.2V
15
A
IPP3
Program Current (Program)
Program in progress
VPP = 12V ± 5%
110
mA
Program in progress
VPP = VDD
15
A
IPP4
Program Current (Erase)
Erase in progress
VPP = 12V ± 5%
310
mA
Erase in progress
VPP = VDD
15
A
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.4
V
VDDQ ≥ 2.7V
–0.5
0.8
V
VIH
Input High Voltage
VDDQ –0.4
VDDQ +0.4
V
VDDQ ≥ 2.7V
0.7 VDDQ
VDDQ +0.4
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 100A, VDD = VDD min,
VDDQ = VDDQ min
0.1
V
VOH
Output High Voltage
IOH = –100A, VDD = VDD min,
VDDQ = VDDQ min
VDDQ –0.1
V
VPP1
Program Voltage (Program or
Erase operations)
1.65
3.6
V
VPPH
Program Voltage
(Program or Erase
operations)
11.4
12.6
V
VPPLK
Program Voltage
(Program and Erase lock-out)
1V
VLKO
VDD Supply Voltage (Program
and Erase lock-out)
2V
相關PDF資料
PDF描述
M28W320ECT90ZB6T 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M27C512-70C 512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
M59MR032C100GC6T 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M59MR032D100GC6T CAP 0.2PF 50V +/-0.1PF THIN-FILM SN96/AG4/NI 30PPM TR-7-PA
M59MR032C120GC6T 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
相關代理商/技術參數
參數描述
M28W320FCB70N6E 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W320FCB70N6F 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W320FCB70ZB6E 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 47TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
M28W320FCB70ZB6F 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W320FCT70N6E 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel