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參數(shù)資料
| 型號： | M28W320ECT90ZB6F |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（處理器x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 33/45頁 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | M28W320ECT90ZB6F |
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M28W320EBT, M28W320EBB
Figure 18. Quadruple Word Program Flowchart and Pseudo Code
Note: 1. Status check of b1 (Protected Block), b3 (VPP Invalid) and b4 (Program Error) can be made after each program operation or after
a sequence.
2. If an error is found, the Status Register must be cleared before further Program/Erase operations.
3. Address 1 to Address 4 must be consecutive addresses differing only for bits A0 and A1.
Write 56h
AI06233
Start
Write Address 1
& Data 1 (3)
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
NO
b4 = 0
VPP Invalid
Error (1, 2)
Program
Error (1, 2)
YES
End
YES
NO
b1 = 0
Program to Protected
Block Error (1, 2)
Write Address 2
& Data 2 (3)
quadruple_word_program_command (addressToProgram1, dataToProgram1,
addressToProgram2, dataToProgram2,
addressToProgram3, dataToProgram3,
addressToProgram4, dataToProgram4)
{
writeToFlash (any_address, 0x56) ;
writeToFlash (addressToProgram1, dataToProgram1) ;
/*see note (3) */
writeToFlash (addressToProgram2, dataToProgram2) ;
/*see note (3) */
writeToFlash (addressToProgram3, dataToProgram3) ;
/*see note (3) */
writeToFlash (addressToProgram4, dataToProgram4) ;
/*see note (3) */
/*Memory enters read status state after
the Program command*/
do {
status_register=readFlash (any_address) ;
/* E or G must be toggled*/
} while (status_register.b7== 0) ;
if (status_register.b3==1) /*VPP invalid error */
error_handler ( ) ;
if (status_register.b4==1) /*program error */
error_handler ( ) ;
if (status_register.b1==1) /*program to protect block error */
error_handler ( ) ;
}
Write Address 3
& Data 3 (3)
Write Address 4
& Data 4 (3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W320ECT90ZB6T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M27C512-70C | 512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM |
| M59MR032C100GC6T | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D100GC6T | CAP 0.2PF 50V +/-0.1PF THIN-FILM SN96/AG4/NI 30PPM TR-7-PA |
| M59MR032C120GC6T | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W320FCB70N6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320FCB70N6F | 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320FCB70ZB6E | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 47TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| M28W320FCB70ZB6F | 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320FCT70N6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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