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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LHF64P01 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 64Mbit (4Mbitx16/8Mbitx8) Page Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆比特（4Mbitx16/8Mbitx8）頁(yè)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/45頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1041K |
| 代理商： | LHF64P01 |
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LHF64P01 25
t
AVAV
t
AVWH
(t
AVEH
)
t
WHAX
(t
EHAX
)
t
ELWL
(t
WLEL
)
t
PHWL
(t
PHEL
)
t
WLWH
(t
ELEH
)
t
WHWL
(t
EHEL
)
t
WHDX
(t
EHDX
)
t
DVWH
(t
DVEH
)
t
VVWH
(t
VVEH
)
t
WHQV1,2,3,4,5,6
(t
EHQV1,2,3,4,5,6
)
t
QVVL
t
WHEH
(t
EHWH
)
t
WHGL
(t
EHGL
)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
(D/Q)
(W)
(G)
(A)
A
22-0
DQ
15-0
(V)
V
PEN
V
IH
V
PENH
V
PENLK
V
IL
V
IL
(P)
RP#
OE#
WE#
V
IH
V
IL
(F)
BYTE#
VALID
ADDRESS
VALID
ADDRESS
VALID
ADDRESS
DATA IN
DATA IN
VALID
SRD
("1")
V
OL
("0")
(R)
STS
(SR.7)
High Z
(t
WHR0
(t
EHR0
))
t
WHRL
(t
EHRL
)
Disabled (V
IH
)
(E)
CE
X
Enabled (V
IL
)
t
FLWH
/t
FHWH
(t
FLEH
/t
FHEH
)
t
WHFL
/t
WHFH
(t
EHFL
/t
EHFH
)
NOTE 1
NOTE 2
NOTE 3
NOTE 4
NOTES 5, 6
NOTES 5, 6
NOTES:
1. V
CC
power-up and standby.
2. Write each first cycle command.
3. Write each second cycle command or valid address and data.
4. Automated erase or program delay. This waveform illustrates the case when STS is in level mode (RY/BY#).
5. Read status register data.
6. For read operation, OE# and CE
X
must be driven active, and WE# de-asserted.
Figure 9. AC Waveform for Write Operations
Rev. 0.06
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| LT1D82A | 3.3X2.9mm, 1.1mm Thickness, High-luminosity Chip LED Devices with Lens |
| LT1E82A | 3.3X2.9mm, 1.1mm Thickness, High-luminosity Chip LED Devices with Lens |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LHF80V07 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:Flash Memory 8M (1M 】 8/512K 】 16) |
| LHF80V11 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:8M Flash Memory |
| LHF80V13 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:Flash Memory 8M (1M 】8/512K x 16) |
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