參數(shù)資料
型號： KSC838CO
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： KSC838CO
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. A1, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter On Voltage
Figure 5. Collector Output Capacitance
Figure 6. Current Gain Bandwidth Product
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
B
= 90
μ
A
I
B
= 80
μ
A
I
B
= 10
μ
A
I
B
= 20
μ
A
I
B
= 70
μ
A
I
B
= 60
μ
A
I
B
= 50
μ
A
I
B
= 40
μ
A
I
B
= 30
μ
A
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
100
10
100
1000
V
CE
=12V
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
CE(sat)
V
BE(sat)
I
C
=10I
B
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
4
8
12
16
20
24
28
32
V
CE
=12V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
1
10
f = 1MHz
I
E
=0
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
1
10
10
100
1000
V
CE
=10V
f
T
[
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD227GTA 300 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
KSK161YBU VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
KTA1725 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH POWER AMPLIFIER)
KTA1726 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH POWER AMPLIFIER)
KTA1834L EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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KSC838COTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC838COTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC838CYBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC838CYTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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