參數(shù)資料
型號(hào)： KSC838CO
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： KSC838CO
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
35
30
4
30
250
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
I
C
=5mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
V
CE
=12V, I
C
=2mA
V
CE
=6V, I
C
=1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CE
=10V, I
C
=1mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
35
30
4
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
0.1
0.1
240
0.75
0.4
40
0.65
0.70
0.1
250
2.0
V
V
100
MHz
pF
3.2
R
O
Y
h
FE
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
KSC838
FM Radio RF AMP, MIX, CONV, OSC, IF AMP
High Current Gain Bandwidth Product : f
T
=250MHz (TYP.)
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD227GTA 300 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
KSK161YBU VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
KTA1725 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH POWER AMPLIFIER)
KTA1726 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH POWER AMPLIFIER)
KTA1834L EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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KSC838COTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC838COTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC838CYBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC838CYTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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