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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM68V1000BLRI-10 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
| 中文描述： | 128K的× 8位低功耗和低電壓的CMOS Statinc內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 183K |
| 代理商： | KM68V1000BLRI-10 |
KM68V1000B, KM68U1000B Family
CMOS SRAM
Revision 2.0
March 1998
PACKAGE DIMENSIONS
Units : millimeter(inch)
32 PIN PLASTIC SMALL OUTLINE PACKAGE (525mil)
0~8
°
#32
20.47
±
0.20
0.806
±
0.008
MAX
20.87
0.822
MAX
2.74
±
0.20
0.108
±
0.008
3.00
0.118
MIN
0.002
0.05
0.004 MAX
0.10 MAX
#1
( 0.028
1
0
11.43
±
0.20
0.450
±
0.008
0.80
±
0.20
0.031
±
0.008
0.20
+0.10
0.008
+0.004
14.12
±
0.30
0.556
±
0.012
#17
#16
1.27
0.050
0.41
+0.100
0.016
-0.002
+0.004
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| KMD3CLB8BBBRG2 | ROCKER SWITCH, DPDT, LATCHED, 21A, 14VDC, PANEL MOUNT |
| KMS223GLFG | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY-TACTILE, 0.01A, 32VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-RIGHT ANGLE |
| KN10-187-20FD-D | 6 mm2, BRASS, PUSH-ON TERMINAL |
| KN14-250MD-T | 2.5 mm2, COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM68V1000BLRI-10L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
| KM68V1000BLRI-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
| KM68V1000BLRI-7L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
| KM68V1000BLT-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
| KM68V1000BLT-10L | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32 |
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