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參數(shù)資料
| 型號： | KM616V1000B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64K x16 Bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM(64K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 64K的x16位低功耗和低電壓的CMOS全靜態(tài)RAM（64K的× 16位低功耗低電壓的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | KM616V1000B |
KM616V1000B, KM616U1000B Family
CMOS SRAM
Revision 2.0
February 1998
9
44 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE II (400F)
Unit : millimeter(inch)
0
#1
0
#22
#44
#23
0.35
±
0.10
0.014
±
0.004
0.80
0.0315
M
1.20MAX.
18.41
±
0.10
0.725
±
0.004
0.741
11.76
±
0.20
0.463
±
0.008
+ 0.10
- 0.05
+ 0.004
- 0.002
0.15
0.006
1
0
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0.004
PACKAGE DIMENSIONS
0~8
°
0.45 ~0.75
0.018 ~ 0.030
( 0.010
(0.020
( 0.032
MAX
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±
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44 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE II (400R)
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1.20MAX.
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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