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參數(shù)資料
| 型號： | KM616V1000B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64K x16 Bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM(64K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 64K的x16位低功耗和低電壓的CMOS全靜態(tài)RAM（64K的× 16位低功耗低電壓的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | KM616V1000B |
KM616V1000B, KM616U1000B Family
CMOS SRAM
Revision 2.0
February 1998
7
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
Data Undefined
UB, LB
WE
Data in
Data out
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS Controlled)
Address
CS
Data Valid
UB, LB
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
t
WC
t
CW(2)
t
WR(4)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
AS(3)
t
DH
t
DW
t
WHZ
t
OW
t
WC
t
CW(2)
t
AW
t
BW
t
WP(1)
t
DH
t
DW
t
WR(4)
High-Z
High-Z
Data Valid
t
AS(3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KM616V4002BT15 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:* |
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