參數(shù)資料
型號(hào)： KM416S1020C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 為512k × 16 × 2銀行同步DRAM（為512k × 16位× 2組同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 38/42頁(yè)
文件大小： 582K
代理商： KM416S1020C
TIMING DIAGRAM - I
CMOS SDRAM
ELECTRONICS
REV. 4 Nov. '97
0
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Write Interrupted by Precharge Command & Write Burst Stop Cycle @ Burst Length=Full page
Row Active
(A-Bank)
Burst Stop
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
Write
(A-Bank)
*Note 2
tBDL
*Note :
1. At full page mode, burst is end at the end of burst. So auto precharge is possible.
2. Data-in at the cycle of interrupted by precharge can not be written into the corresponding
memory cell. It is defined by AC parameter of t
DQM at write interrupted by precharge command is needed to prevent invalid write.
DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge
before end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
3. Burst stop is valid at every burst length.
RDL.
HIGH
tRDL
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3
DAa4
DAb0
DAb1
DAb2
DAb3
DAb4
DAb5
RAa
CAa
CAb
RAa
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416S1021C 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interfacer(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）)
KM416S4020B 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
KM416S4021B 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
KM416S4030B 1M x 16Bitx 4 Banks Synchronous DRAM(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM)
KM416S4031B 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）)
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參數(shù)描述
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KM416S1021CT-G7 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface
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