參數(shù)資料
型號： IXTQ180N055T
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Trench Gate Power MOSFET
中文描述： 180 A, 55 V, 0.0051 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： IXTQ180N055T
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTA 180N055T IXTP 180N055T
IXTQ 180N055T
100
1,000
10,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
- Volts
C
C
iss
C
oss
C
rss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= 30V
I
D
= 90A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
2
2.5
3
3.5
V
G S
- Volts
4
4.5
5
5.5
6
I
D
T
J
= 150
o
C
25
o
C
-40
o
C
Fig. 8. Transconductance
0
20
40
60
80
100
120
140
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
50
100
150
200
250
300
350
0.3
0.5
0.7
0.9
V
S D
- Volts
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
I
S
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
10
100
1000
1
10
100
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 175
o
C
T
C
= 25
o
C
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA1N100 High Voltage MOSFET
IXTA1N80 High Voltage MOSFET
IXTP1N80 High Voltage MOSFET
IXTY1N80 High Voltage MOSFET
IXTA3N120 High Voltage Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ180N085T 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ180N10T 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ182N055T 功能描述:MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ18N60P 功能描述:MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ200N06P 功能描述:MOSFET 200 Amps 60V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*