參數(shù)資料
型號： IXTQ110N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 110 A, 100 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 578K
代理商： IXTQ110N10P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTQ 110N10P
IXTT 110N10P
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1 6,404,065 B1
6,306,728 B1 6,534,343
6,683,344
6,710,405B2
6,583,505
Symbol
Test Conditions Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
30
40
S
C
iss
C
oss
C
rss
3550
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1370
440
pF
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
21
25
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 4
(External)
65
25
ns
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
110
25
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
62
nC
R
thJC
R
thCK
0.31K/W
(TO-3P)
0.21
K/W
Source-Drain Diode Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min.
typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
110
A
I
SM
Repetitive
250
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
= 25 A
-di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 50 V
130
ns
Q
RM
2.0
μ
C
TO-268 Outline
TO-3P (IXTQ) Outline
相關PDF資料
PDF描述
IXTT110N10P N-Channel Enhancement Mode
IXTQ23N60Q Power MOSFETs Q-Class
IXTQ96N15P N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet
IXTT96N15P N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet
IXTU01N100D N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ120N15P 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ120N15T 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ120N20P 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ130N10T 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ130N10TSN 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
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