參數(shù)資料
型號： IXTQ110N055P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 110 A, 55 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 120K
代理商： IXTQ110N055P
2005 IXYS All rights reserved
IXTA 110N055P IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
0
1
2
3
4
V
D S
- Volts
5
6
7
8
9
10
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
5V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
9V
5V
6V
7V
8V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
0.2
0.4
0.6
V
D S
- Volts
0.8
1
1.2
1.4
1.6
I
D
V
GS
= 10V
9V
7V
5V
6V
8V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- Degrees Centigrade
R
D
I
D
= 110A
I
D
= 55A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
20
40
60
80
100
120
-50
-25
0
T
C
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
175
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Drain Current
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10V
T
J
= 175
o
C
V
GS
= 15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA180N055T Trench Gate Power MOSFET
IXTP180N055T Trench Gate Power MOSFET
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IXTA1N80 High Voltage MOSFET
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參數(shù)描述
IXTQ110N10P 功能描述:MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ120N15P 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ120N15T 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ120N20P 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ130N10T 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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