參數(shù)資料
型號(hào)： IXTP75N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 75 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 581K
代理商： IXTP75N10P
2004 IXYS All rights reserved
Fig . 13. M axim u m T ran s ie n t T h e rm al Re s is tan ce
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
1
10
100
1000
Pulse W idth - milliseconds
R
(
o
C
IXTA 75N10P IXTP 75N10P
IXTQ 75N10P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTQ75N10P N-Channel Enhancement Mode
IXTA8N50P PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP8N50P PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTB30N100L Power MOSFETs with Extended FBSOA
IXTN30N100L Power MOSFETs with Extended FBSOA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTP76N075T 功能描述:MOSFET MOSFET Id76 BVdass75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP76N25T 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP76P10T 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP7N45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
IXTP7N45A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
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