參數(shù)資料
型號： IXTK180N15
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Current MegaMOSTMFET
中文描述： 180 A, 150 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： IXTK180N15
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic values
Min.
Typ. Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
65
82
S
C
iss
C
oss
C
rss
9200
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
2525
pF
950
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
35
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
(External)
50
ns
180
ns
50
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
400
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
70
nC
155
nC
R
thJC
R
thCK
0.22K/W
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Ratings and Characteristics
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Min.
Symbol
Test Conditions
Typ. Max.
I
S
V
GS
= 0V
180
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
720
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300 μs, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
F
= 30A, -di/dt = 100 A/μs, V
R
= 100V
270
ns
Q
rr
6
μ
C
IXTK 180N15
TO-264 AA Outline
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTK200N10P PolarHTTM Power MOSFET
IXTK21N100 High Voltage MegaMOSTMFETs
IXTN21N100 High Voltage MegaMOSTMFETs
IXTK250N10 High Current MegaMOSFET
IXTK33N50 High Current MegaMOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTK180N15P 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK200N10L2 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK200N10P 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK20N140 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK20N150 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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