參數(shù)資料
型號： IXTA50N20P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 50 A, 200 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： PLASTIC, TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 589K
代理商： IXTA50N20P
2004 IXYS All rights reserved
IXTA 50N20P IXTP 50N20P
IXTQ 50N20P
Fig . 13. M axim u m T ran s ie n t T h e rm al Re s is tan ce
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
1
10
100
1000
Pulse W idth - milliseconds
R
(
o
C
相關PDF資料
PDF描述
IXTP50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA62N15P PolarHT Power MOSFET
IXTP62N15P PolarHT Power MOSFET
IXTQ62N15P PolarHT Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXTA50N25T 功能描述:MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA50N28T 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXTA52P10P 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA54N30T 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA56N15T 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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