參數(shù)資料
型號： IXTA180N055T
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Trench Gate Power MOSFET
中文描述： 180 A, 55 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： IXTA180N055T
2005 IXYS All rights reserved
IXTA 180N055T IXTP 180N055T
IXTQ 180N055T
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0.01
0.10
1.00
0.1
1
10
100
1000
Pulse Wdth - mlliseconds
R
(
o
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IXTA180N085T7 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA180N10T 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA180N10T7 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA182N055T 功能描述:MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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